Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет ..., печатный экземпляр отправим ...
Опубликовать статью

Молодой учёный

Основы метода измерений вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов в автоматизированной обучающей системе

Технические науки
04.12.2019
873
Поделиться
Библиографическое описание
Метальников, А. М. Основы метода измерений вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов в автоматизированной обучающей системе / А. М. Метальников, О. В. Карпанин, М. С. Чайкин. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 49 (287). — С. 184-187. — URL: https://moluch.ru/archive/287/64765/.


В статье приводится обобщенная структурная схема измерителя вольт-амперных характеристик автоматизированной обучающей системы. Представляются реализуемые схемы измерения на примере биполярного транзистора, а также решения по релейной коммутации схем измерений и образцов.

Ключевые слова: измерения, вольт-амперные характеристики, полупроводниковые приборы, автоматизированная обучающая система.

Для практической реализации идей и подходов, положенных в основу построения автоматизированной обучающей системы (АОС), выбран проект АОС для исследований свойств и характеристик полупроводниковых приборов и структур [1]. С учетом охвата более широкого круга тем обучения аппаратное обеспечение такой системы должно позволять проводить измерения основных характеристик полупроводниковых приборов как можно более широкого набора типов. В первую очередь это, конечно, вольтамперные характеристики (ВАХ) двухполюсников и трехполюсников [2]. Преобразователи, входящие в состав аппаратного обеспечения измерительной части АОС, должны включать управляемые источники напряжения и тока для формирования воздействия на объект исследований и преобразователи сигналов отклика на заданное воздействие. Для аналого-цифрового преобразования сигналов должны использоваться аналого-цифровые преобразователи и цифро-аналоговые преобразователи, обеспечивающие требуемую точность преобразования. Для сопряжения автоматизированных средств измерений с персональным компьютером (ПК) целесообразно использовать USB интерфейс, позволяющий установить АОС практически на любом ПК.

Обобщенная структурная схема измерителя ВАХ полупроводниковых приборов, поясняющая принцип измерений, положенный в основу разработки аппаратной части АОС представлена на рисунке 1.

Безымянныйfd

Рис. 1. Обобщенная структурная схема измерителя ВАХ

Объект измерений (ОИ) представляет собой находящийся в термокамере двухполюсник или трехполюсник. Источник напряжения (ИН) предназначен для подачи напряжения на электроды двухполюсников и электроды трехполюсников, соответствующие коллектору и эмиттеру биполярных транзисторов, стоку и истоку полевых транзисторов. Источник напряжения/тока (ИН/Т) формирует управляющее напряжение или ток для измерений ВАХ трехполюсников в зависимости от того, какой управляющий сигнал требуется. Для измерений ВАХ двухполюсников ИН/Т не используется. Преобразователь ток-напряжение (ПТН) является устройством с нулевым входным сопротивлением и предназначен для преобразования тока, протекающего через ОИ, в пропорциональное напряжение. Контроллер (К) — это микропроцессорный модуль с набором преобразователей аналогового и цифрового ввода/вывода. Источники и преобразователь ток-напряжение являются программируемыми и управляемыми от контроллера устройствами. Для упрощения структурной схемы на ней не показаны цифровые и аналоговые сигналы управления этими устройствами от контроллера. На схеме представлены только связи, поясняющие то, что в контроллер поступает информация о напряжении на приборе и его управляющем электроде, а также информация о протекающем через него токе. Для управления измерениями и обработки измерительных данных используется ПК, который подключается к контроллеру через интерфейс USB.

На рисунках 2, 3 представлены схемы измерений различных ВАХ на примере биполярного транзистора, которые позволяет реализовать представленная структурная схема.

Безымянныйfd

Рис. 2. Измерение входных и выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Аналогично реализуется измерение входных и выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.

Безымянныйfd

Рис. 3. Измерение ВАХ эмиттерного перехода биполярного транзистора

Таким же образом реализуется измерение ВАХ коллекторного перехода биполярного транзистора.

Подключение исследуемого прибора в измерительную цепь по требуемой схеме осуществляется с помощью программно управляемой релейной коммутации (рисунок 4).

Безымянныйfd

Рис. 4. Релейная коммутация схемы измерений ВАХ

Для автоматического подключения в измерительную цепь различных образцов исследуемых полупроводниковых приборов используется также программно управляемая релейная коммутация (рисунок 5). Это позволяет одновременно измерять ВАХ различных образцов, находящихся в термокамере при высокой температуре.

Безымянныйfd

Рис. 5. Релейная коммутация исследуемых образцов

Представленный метод измерений ВАХ обладает высокой универсальностью. Реализация автоматизированного исследования набора разнообразных полупроводниковых приборов делает разрабатываемый проект в рамках АОС перспективным на рынке учебного оборудования.

Литература:

  1. Волчихин В. И., Медведев С. П., Вареник Ю. А., Метальников А. М., Карпанин О. В., Печерская Р. М. Полупроводниковые структуры и приборы (Автоматизированный лабораторный практикум): Учеб. пособие под ред. д-ра техн. наук, проф. Р. М. Печерской. Пенза, Изд-во ПГУ 2013 г. — 198 с.
  2. Глинченко А. С., Егоров Н. М., Комаров В. А., Сарафанов А. В. Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий: учебное пособие. — М.: ДМК Пресс, 2008. — 352 с.
Можно быстро и просто опубликовать свою научную статью в журнале «Молодой Ученый». Сразу предоставляем препринт и справку о публикации.
Опубликовать статью
Ключевые слова
измерения
вольт-амперные характеристики
полупроводниковые приборы
автоматизированная обучающая система
Молодой учёный №49 (287) декабрь 2019 г.
Скачать часть журнала с этой статьей(стр. 184-187):
Часть 3 (стр. 159-235)
Расположение в файле:
стр. 159стр. 184-187стр. 235

Молодой учёный