Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет ..., печатный экземпляр отправим ...
Опубликовать статью

Молодой учёный

Рассеяние свободных электронов на точечных дефектах кристаллической решётки

Физика
27.05.2019
243
Поделиться
Библиографическое описание
Садртдинова, К. Д. Рассеяние свободных электронов на точечных дефектах кристаллической решётки / К. Д. Садртдинова. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 21 (259). — С. 12-16. — URL: https://moluch.ru/archive/259/59549/.


1. Введение

С целью повышения прочностных свойств металлических материалов их подвергают интенсивной пластической деформации (ИПД), что позволяет вводить в структуру материала различные дефекты кристаллической решетки. Их влияние на механическую прочность полученных таким образом ультрамелкозернистых материалов достаточно хорошо изучена. Для возможности анализа влияния структурных дефектов на физические свойства и прогноза их изменения в зависимости от факторов, к которым они являются чувствительными, необходимы соответствующие аналитические зависимости между ними. В частности, востребованными являются материалы, обладающие высокой прочностью и достаточной электропроводностью. Целью данной работы явилось вычисление усредненной вероятности рассеяния в единицу времени электронов на вакансиях и примесных атомах, которое позволяет определить время релаксации и соответственно вклад в удельное сопротивление указанных точечных дефектов. Сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными и получение уточненных размеров области взаимодействия электрона с вакансиями и примесными атомами позволяет повысит точность оценок.

2. Удельное сопротивление и прочность металлов, содержащих вакансии

Вклад в удельное сопротивление металлов дефектов кристаллической решетки зависит от вероятности P рассеяния электронов на них, которая определяется размерами области рассеяния. Для вычисления величины P необходимо задать вид рассеивающего потенциала.

Рассмотрим систему из Ne электронов — невзаимодействующих фермионов со спином ½, заключенных в объеме Ω при температуре T=0. Решения уравнения Шредингера для свободной частицы имеют вид плоских волн: ψk=exp(), — радиус-вектор. При этом в k — пространстве волновых чисел на каждое состояние приходится объем dVk=(2π)3/L3=(2π)3/Ω.

Плотность квантовых состояний в металле (плотность разрешенных состояний электронов в единичном интервале энергии E) равна

.(1)

На уровне Ферми , где ne — объемная плотность электронов, EFэнергия Ферми. Потенциал вакантной области U определим плотностью электронов в материале, деленной на плотность состояний: U=(2/3)EF [1]. Чтобы вычислить время релаксации τk, необходимо знать вероятность P того, что электрон в единицу времени испытает столкновение с вакансией: τk~1/P. Рассеиваются лишь электроны в окрестности энергии Ферми. Вычислим вероятность перехода электрона из состояния с волновым числом k в состояние k′ в k — пространстве. Вероятность рассеяния в телесный угол dw в единицу времени равна

,(2)

где — матричный элемент рассеяния (перехода из состояния k в состояние k′ в k — пространстве, ):

.(3)

Возмущение оператора Гамильтона примем равным потенциалу вакантной областиU. При рассеянии энергия частицы сохраняется: . Соответственно стационарное решение уравнения Шредингера запишем в виде . Область рассеяния электронов τ вакансией представим в виде куба, одна из граней которого параллельна вектору . Объем куба равен l3.

Модуль вектора равен. Тогда вероятность рассеяния (2) примет вид

,(4)

где .

Усредненная вероятность рассеяния в единицу времени по всем направлениям вектора в образце с N=CΩ=Cana вакансиями, где na — плотность атомов, C и Caобъемная и атомная концентрации вакансий соответственно, равна

.(5)

Тогда вклад в удельное сопротивление вакансий определится выражением:

.(6)

Согласно известным теоретическим оценкам [2–5] вклад в удельное сопротивление благородных металлов для одного процента вакансий равен ρV=1.5 мкОм∙см, что совпадает с экспериментальными значениями. Известны также значения, полученные рядом авторов для меди, равные 1.64 [6], 1.70 [7] и 1.73 мкОм∙см/at. % [8]. Вклад вакансий в удельное сопротивление меди, согласно формуле (6) равен мкОм∙м, или 1.0 мкОм∙см/at. %, если принять объем области взаимодействия равным l3=a3/4, где а — параметр решетки. Полученная оценка ниже известных теоретических оценок. Результат, полученный в данной работе с использованием потенциала U [1], зависит от размера области взаимодействия l и соответствует известным данным по порядку величины. Если принять значение l равным длине вектора Бюргерса b, то прирост удельного сопротивления составит 1.42 мкОм∙см/at. %. При l=1.06b мкОм∙см/at. %. Если принять l1.06b, то прирост удельного сопротивления при концентрации вакансий CVa=10–5, характерной для материалов, подвергнутых ИПД, составит 1.73∙10–3 мкОм∙см. В то же время удельное сопротивления чистой меди при комнатной температуре равно мкОм∙см [9]. Таким образом, вклад вакансий в удельное сопротивление весьма незначителен.

3. Удельное сопротивление и прочность металлов, содержащих примесные атомы

Удельное сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на легирующих атомах, может быть вычислено и по формуле (6), полученной для случая рассеяния на вакансиях. В данном случае вместо атомной концентрации вакансий Ca нужно брать атомную концентрацию атомов Ca. Результаты вычислений приводят к значению мкОм∙см при l=1.35b и Ca=6.1∙10–3 (ρa=5.15 мкОм∙см/at. %).

Согласно экспериментальным данным, электропроводимость сплава Сu-0.5wt. %Cr, подвергнутого 4 проходам равноканального углового прессования, равно 35 % IACS (=4.93∙10–8 Ом∙м) [10]. Характерное значение плотности дислокаций составляет ρtot= 8.33∙1014 m-2, вклад которых в удельное сопротивление сплава равен ρdisl.=1.42∙10–10 Ом∙м. С учетом вклада вакансий, концентрация которых может достигать значений порядка 10–5, ρ=1.73∙10–3 мкОм∙см и удельного сопротивления чистой меди, равного мкОм∙см можно определить удельное сопротивление, обусловленное легирующими атомами хрома: a=-0-V-disl.=3.19 ∙10–8 Ом∙м. Полученное значение может быть использовано для определения размеров области взаимодействия атомов с электронами. В данном случае la1.354b.

4. Выводы

Результаты, полученные по представленным в работе формулам, согласуются с экспериментальными данными по порядку величины. По известным экспериментальным данным могут быть уточнены размеры области взаимодействия электронов с дефектами кристаллической решетки, что позволяет повысить точность оценок. Область рассеяния вакансий имеет размеры l1.06b. Размер области взаимодействия для атомов составляет l1.35b. Как следует из проведенных расчетов удельное сопротивление сплава Сu-0.5wt. %Cr существенно повышают растворенные в матрице атомы хрома. Наличие вакансий и дислокаций не оказывает какого-либо заметного влияния на электропроводимость материала.

Литература:

  1. Harrison W A 1958 J. Phys. Chem. Solids 5 44
  2. Blatt F J 1956 Phys. Rev. 103 1905
  3. Abeles M F 1953 Compt. Rend. Acad. Sci. 237 796
  4. Seeger A, Stehle H 1956 Z. Phys. 146 242
  5. Blatt F J 1957 Solid State Physics 3
  6. Seeger A 1962 J. Phys. Rad. 146 242
  7. Polác J 1967 Czech. J. Phys. B17 171
  8. Fischer K 1963 Phys. Stat. Solidi 3 2035
  9. Осинцев О Е 2004 Медь и медные сплавы (Машиностроение) p 336
  10. Wei K X, Wei W., Wang F, Du Q B, Alexandrov I V., Hu J 2011 Materials Science and Engineering A528 Issue 3 1478
Можно быстро и просто опубликовать свою научную статью в журнале «Молодой Ученый». Сразу предоставляем препринт и справку о публикации.
Опубликовать статью
Молодой учёный №21 (259) май 2019 г.
Скачать часть журнала с этой статьей(стр. 12-16):
Часть 1 (стр. 1-81)
Расположение в файле:
стр. 1стр. 12-16стр. 81

Молодой учёный